13:30 〜 15:30

[16p-P7-1] 鉄内包カーボンナノチューブ成長における基板への水素プラズマ照射の影響

^○久保中伸雄，佐藤英樹，濵口真，藤原裕司 (三重大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-2] Ni/Fe積層触媒を用いたCNT合成

^○小路紘史¹，石本光輝¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-3] 酸素還元反応の触媒として機能するFe/N-カーボン材料のソリューションプラズマによる合成

^○金大旭¹，齋藤永宏^1,2,3 (名古屋大工¹，連携研究センター²，エコトピア研³)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-4] Synthesis of Graphene by Microwave surface wave plasma chemical vapor deposition

^○Ms Kayastha，Hare Ram Aryal，Sudip Adhikari，Hideo Uchida，Koichi Wakita，Masayoshi Umeno (Ｃｈｕｂｕ)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-5] グラフェン－グラフェンヘテロ構造デバイスに向けたグラフェンのパッチワーク合成Ⅱ

^○（M2）安野裕貴，秋田成司，有江隆之，竹井邦晴 (大阪府大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-6] 固液界面接触分解法による相分離合金内包カーボンナノチューブの生成

^○相良拓也¹，胡桃聡²，松田健一²，鈴木薫² (日大院¹，日大²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-7] SiC表面熱分解グラフェンへのSi照射

^○（M1）木本真一，梶原隆司，アントンビシコフスキー，田中悟 (九大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-8] イオン注入4H-SiC表面におけるグラフェン成長とプラズマ処理効果

^○（M2）杉町徹¹，青柳大輝¹，西村智朗²，中村徹¹ (法政大理工¹，法政大イオンビーム²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-9] Niシリサイドを用いたSi基板上エピタキシャルグラフェンの低温形成

^○長谷川美佳，菅原健太，三本菅正太，原本直樹，須藤亮太，吹留博一，長澤弘幸，末光眞希 (東北大通研)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-10] 微傾斜Si(111)基板使用によるSi基板上エピタキシャルグラフェンの高品質化

^○原本直樹¹，猪俣州哉¹，三本菅正太¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2 (東北大工¹，JST/CREST²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-11] 室温プラズマ酸化を援用したSiC上へのグラフェン形成

^○齋藤直樹，今福亮斗，西川央明，佐野泰久，川合健太郎，森田瑞穂，有馬健太 (阪大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-12] MBE 法によって傾斜 6H-,4H-SiC ナノ表面上にエピタキシャル成長したグラフェンナノリボンによるバンドギャップ形成

^○梶原隆司¹，アントンビシコフスキー¹，中辻寛³，飯盛拓嗣²，小森文夫²，田中悟¹ (九大工¹，東大物性研²，東工大³)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-13] MoO₃前駆体塗布膜の硫化によるMoS₂薄膜形成

^○（M1）黒崎祐太郎，田端祐輔，上野啓司 (埼玉大院理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-14] Niイオン交換X型ゼオライトを用いた炭素構造体の生成

^○福田育仕，和田昇 (東洋大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-15] 層状ケイ酸塩テニオライトを用いた窒素原子含有炭素構造体の生成

^○小林大輔，和田昇 (東洋大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-16] 分光エリプソメトリーにおける酸化グラフェンの評価

^○（B）船田修司，日當大我，上野啓司，石川良，白井肇 (埼玉大)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-17] 基板表面修飾による酸化グラフェン薄膜形成制御と銅蒸気還元

^○高見俊志，伊藤智昭，李世奎，荻野俊郎 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-18] ショウノウを用いたレーザー照射マイクロ波表面波プラズマCVDによるグラフェン成膜

^○内田三郎，内田秀雄，脇田紘一，梅野正義 (中部大)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-19] プラズマCVDによる酸化銅基板を用いたグラフェンの成長

^○宮脇芳博，佐野和也，林康明 (京都工繊大工芸)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-20] パルスアークプラズマによるSiO₂/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅱ

^○伴野和也，水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曾我哲夫 (名工大)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-21] カーボン蒸着によるグラフェンの作製2

^○宇木権一¹，加藤幹大¹，大兼俊貴¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-22] 塗布を用いたグラフェンの作製Ⅱ

^○加藤幹大，宇木権一，趙新為 (東理大理)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-23] ボトムアップ形成グラフェンナノリボンのin situ STM 観察

^○山口淳一¹，佐藤信太郎¹，田中和樹²，山田容子^2,3，横山直樹¹ (産総研GNC¹，奈良先端大物質²，JST-CREST³)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-24] Co触媒の凝集を伴うグラフェン形成の観察

^○水野正也，伴野和也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曾我哲夫 (名工大)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-25] ニッケル合金を用いたSiO2基板上へのグラフェンの直接合成

^○生田昂，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-26] 各種の原料を用いたサファイア基板上へのグラフェン薄膜の作製（Ⅱ）

^○（B）畑山正利，狩野樹，王宇，中村一馬，海老沼悟志，鈴木敏正 (日本工大)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-27] 長カラム用いた金属型カーボンナノチューブの構造分離

^○田中丈士，卜部泰子，片浦弘道 (産総研ナノシステム)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-28] SiC(0001)上でのグラフェンのレーザー誘起選択成長

^○（B）服部正和¹，古川一暁²，高村真琴²，日比野浩樹²，池上浩¹ (九大¹，NTT物性基礎研²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-29] 大気中通電が誘起するグラフェン／水素終端ＳｉＣ（０００１）における界面酸化反応と移動度の低下

^○前田文彦¹，磯部真吾^1,2，日比野浩樹¹ (ＮＴＴ物性基礎研¹，長岡技科大²)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-30] 酸化グラフェンのサイズと酸素官能基の制御

^○仁科勇太¹，齋藤彰範¹，久保拓也²，中井湧基²，林靖彦³，木之下博³ (岡山大RCIS¹，岡山大工²，岡山大院自然³)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-31] ナノカーボン材料の電子ビーム加工の分子シミュレーション（VII)

^○朝山良樹，安田雅昭，川田博昭，平井義彦 (大阪府大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-32] 酸化ダイヤモンド担持Co触媒を用いたメタンの接触反応によるまりもカーボンの合成

^○太田拓¹，米津翔太²，中川清晴³，安藤寿浩⁴，蒲生西谷美香² (東洋大院工¹，東洋大理工²，関西大都市環境工³，物材機構⁴)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-33] ラマン分光法を用いたカーボンナノウォールの結晶子サイズの同定

^○速水義仁，井上未来，橘勝 (横市大)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-34] 異なるドメインサイズをもつグラフェンのラマンスペクトルの温度依存性

^○（M2）細谷渚，橘勝 (横浜市大)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-35] SiC上のエピタキシャルグラフェンへの水素添加

^○（M1）宮本貴雄，小西敬太，陽完治 (北大量集センター)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-36] 層状物質ドーピングによる高導電グラフェン透明薄膜作製

^○（M2）竹内彩¹，後藤拓也²，上野啓司¹ (埼玉大院理工¹，三菱ガス化学²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-37] 自己集積化膜によるグラフェンの分子ドーピング

^○山田綾香，八木克典，張替真佐子，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研GNC)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-38] CNTフォレスト光学特性の構造依存性

^○関家一樹¹，小路紘史¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-39] 片持ち梁カーボンナノチューブ振動を利用した湿度センサ

^○畔柳俊紀，廣島成哉，竹井邦晴，秋田成司，有江隆之 (大府大工)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-40] 片持ちはりカーボンナノチューブ共振周波数の温度依存性

^○出野史也，廣島成哉，竹井邦晴，有江隆之，秋田成司 (府大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-41] 放射光を用いた光電子分光法によるCNT/n-type 4H-SiC界面バンドアライメントの研究

^○矢嶋孝敏¹，野本豊和²，丸山隆浩¹ (名城大¹，あいちシンクロトロン²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-42] グラフェン上Al₂O₃ゲート絶縁膜形成中の「その場」ラマン分光観察

^○須藤亮太，佐藤良，吹留博一，末光眞希 (東北大電気通信研)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-43] 高性能炭による紙デバイスの応用検討

^○吉原万莉¹，田村亘弘²，大矢剛嗣¹ (横国大院工¹，平玄²)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-44] カーボンナノチューブ複合紙を用いた新電磁波シールド構造と評価

^○（M1）李搏决，大矢剛嗣 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-45] カーボンナノチューブ複合紙による人工物メトリクス認証の高度化

^○（M1）秋場誠，山本一貴，大矢剛嗣 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-46] 塗工型色素増感太陽電池用カーボンナノチューブ塗料の作製条件の最適化

^○辻雅也，井口広大，大矢剛嗣 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-47] バリスティック輸送下でのグラフェンナノリボンFETの性能評価

^○長谷川直実¹，下井田健太¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-48] カーボンナノチューブ複合紙による色素増感太陽電池の開発と特性評価

^○井口広大，辻雅也，杉山誠一，大矢剛嗣 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-49] グラフェンCVD膜表面におけるネマチック液晶配向の基板依存性

^○中垣貴充，溝口雅裕，中村篤志，天明二郎，久保野敦史 (静大院工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-50] グラフェンにおける歪みの空間的変化を利用したFETの性能に関する研究

^○上山真之，小川真人，相馬聡文 (神大院工)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P7-51] 局所陽極酸化により加工したグラフェンFETの空間電位分布

^○脇田宗典，亀岡義宣，安野裕貴，竹井邦晴，有江隆之，秋田成司 (大阪府大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-52] 印刷・塗布法で作製した高移動度CNT薄膜トランジスタ

^○沼田秀昭¹，佐々木扶紗子¹，斎藤毅^1,2，二瓶史行¹ (TASC¹，AIST²)

セッション情報

[16p-P7-1~52] 17 ナノカーボン（ポスター）

△ [16p-P7-5] グラフェン－グラフェンヘテロ構造デバイスに向けたグラフェンのパッチワーク合成Ⅱ

△ [16p-P7-23] ボトムアップ形成グラフェンナノリボンのin situ STM 観察

△ [16p-P7-25] ニッケル合金を用いたSiO2基板上へのグラフェンの直接合成

△ [16p-P7-28] SiC(0001)上でのグラフェンのレーザー誘起選択成長

△ [16p-P7-30] 酸化グラフェンのサイズと酸素官能基の制御

△ [16p-P7-39] 片持ち梁カーボンナノチューブ振動を利用した湿度センサ

△ [16p-P7-40] 片持ちはりカーボンナノチューブ共振周波数の温度依存性

△ [16p-P7-51] 局所陽極酸化により加工したグラフェンFETの空間電位分布