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[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年9月16日(月) 13:30 〜 15:30 P8 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[16p-P8-1] H₂導入RFスパッタにより作製した低抵抗AZO薄膜の物性評価

^○田中真樹^1,2，吉野賢二² (宇部マテリアルズ¹，宮崎大工²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-2] ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法によるGa-doped ZnO薄膜の低抵抗化メカニズム

^○井手亜貴子¹，持原晶子¹，吉野賢二¹，小嶋稔²，竹元裕仁²，豊田浩司²，稲葉孝一郎²，羽賀健一²，中俊雄²，徳留功一² (宮崎大工¹，東ソー・ファインケム²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-3] スピンコートシード層への溶液法によるZnO薄膜の作製

^○松本拓也，安部功二 (名古屋工業大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-4] Ar-N₂雰囲気で作製したNbドープTiO₂薄膜の特性

^○井上創太，大西庸介，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-5] NTO/GZO積層膜における電気抵抗率のアニール温度依存性

^○菊池大樹，一柳成治，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-6] AZOターゲットと作製される薄膜の関係性の検討

^○近藤勝軌，富口祐輔，原祐輔，清水英彦，岩野春男，川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎，坪井望，野本隆宏 (新潟大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-7] スパッタ法で作製するAZO透明導電膜の表面テクスチャ構造形成技術の検討

^○山中俊憲，野本淳一，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工学)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-8] RS-MBE法を用いたホモエピタキシャル成長NドープZnO薄膜のp型伝導制御～NO+O2混合ガスによる成長～

^○廣江伸哉，松尾拓郎，木寺亮太，秋山彰雅，行衛孝明，政本卓也，野田佳佑，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止，奥山彰浩 (鳥取大工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-9] ゾル・ゲルディップ法によるZnCdO薄膜合成

砂金恒平，^○安田隆 (石巻専修大理工)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-10] 溶液成長法によるp-CuO/n-ZnO pnヘテロ接合太陽電池形成の試み

^○村上聡宏¹，北峯誠之¹，兵頭篤²，寺迫智昭¹，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-11] ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定 (2)

^○久保田優人，小柳津祥典，森雄大，村中司，鍋谷暢一，松本俊 (山梨大院医工)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-12] バックチャネル欠陥準位がa-InGaZnO薄膜トランジスタ特性及び信頼性に与える影響

^○戸田達也，Dapeng Wang，Jingxin Jiang，Phi Hung Mai，古田守 (高知工大)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-13] ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長

^○（M2）多次見大樹¹，奥秋良隆¹，畠山匠¹，金子健太郎²，藤田静雄²，尾沼猛儀^1,3，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，京大²，東京高専³)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-14] 大気圧CVD法によるSnO₂ナノワイヤーの成長とガスセンサ応用

^○倉重利規¹，寺迫智昭¹，宮田晃²，森雅美²，白方祥¹，定岡芳彦³ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²，愛媛大³)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-15] 大気圧CVD法によって成長した無添加CdO薄膜におけるキャリア輸送特性

^○大前謙¹，寺迫智昭¹，山根基宏²，宮田晃²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-16] 熱分解グラファイトシート上へのミストCVD法による酸化亜鉛の製膜

^○山崎佑一郎¹，宇野和行¹，加計俊介¹，風呂谷育浩¹，田中一郎¹ (和歌山大システム工¹)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-17] IGZO 結晶粉末中の格子欠陥に関する研究

^○松田時宜^1,2，西本大樹¹，高橋宏太¹，植野大貴¹，木村睦^1,2 (龍大理工¹，龍大科技研センター²)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-18] 金属薄膜上に成膜したZnO系薄膜の発光特性

^○（M2）平野貴大¹，山本伸一¹，吉岡秀樹² (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

13:30 〜 15:30

▲ [16p-P8-19] Electrical Transport Properties of Self-buffered Anatase TiO₂

^○（D）Thantip Krasienapibal¹，福村知昭^1,2,3，廣瀬靖^1,2,3，迫龍太⁴，長尾雅則⁴，綿打敏司⁴，田中功⁴，長谷川哲也^1,2,3 (Univ. of Tokyo¹，JST-CREST²，KAST³，Univ. of Yamanashi⁴)

13:30 〜 15:30

△ [16p-P8-20] 溶液成長ZnOナノロッドの成長異方性と電気特性

^○（P）渡辺健太郎^1,2，呉承俊¹，ヤノシュフォルク³，長田貴弘¹，若山裕¹，関口隆史¹ (物材機構¹，筑波大²，ハンガリー科学アカデミー³)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-21] 大気圧CVD法による原料交互供給下でのGa添加ZnO薄膜の成長とキャリア輸送特性の温度依存性

^○藤本翔平¹，藤田崇史²，寺迫智昭¹，宮田晃²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

セッション情報

[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-11] ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定 (2)

△ [16p-P8-12] バックチャネル欠陥準位がa-InGaZnO薄膜トランジスタ特性及び信頼性に与える影響

▲ [16p-P8-19] Electrical Transport Properties of Self-buffered Anatase TiO2

△ [16p-P8-20] 溶液成長ZnOナノロッドの成長異方性と電気特性

▲ [16p-P8-19] Electrical Transport Properties of Self-buffered Anatase TiO₂