一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[17a-B3-1~11] 15.6 IV族系化合物

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 B3 (TC2 1F-105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[17a-B3-1] F₂+Heガスプラズマを用いたSiCのドライエッチング

^○田中貴也¹，新海聡子²，小田春奈³，本山慎一³ (九工大院情¹，九工大マイクロ化²，サムコ³)

09:15 〜 09:30

[17a-B3-2] Si-on-SiC基板貼り合わせ界面の電気的特性

^○笹田幸弘，来見貴誠，荒木亮祐，清水秀雄，木下博之，吉本昌広 (京都工芸繊維大院)

09:30 〜 09:45

[17a-B3-3] 4H-SiCへの大気圧熱プラズマジェット照射によるAlの活性化

^○（M1）丸山佳祐，花房宏明，村上秀樹，林将平，東清一郎 (広大院先端研)

09:45 〜 10:00

△ [17a-B3-4] VLD型終端構造を適用した3.3 kV SiC-SBDの作製および評価

^○海老原洪平，山本泰樹，中木義幸，綾淳，今泉昌之，三浦成久，中田修平，山川聡 (三菱電機)

10:00 〜 10:15

△ [17a-B3-5] 4H-SiC熱酸化膜の界面近傍の構造変化に対する面方位と酸化雰囲気の効果

^○平井悠久¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JSTさきがけ²)

休憩　 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

[17a-B3-6] 4H-SiC熱酸化膜の薄膜領域(<10 nm)における直線的な成長過程の検証

^○菊地リチャード平八郎¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JST さきがけ²)

10:45 〜 11:00

[17a-B3-7] SiO₂/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の界面特性

^○田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

11:00 〜 11:15

▼ [17a-B3-8] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO₂/SiC Structures in Deposited SiO₂ Gate Dielectrics

^○（D）Atthawut Chanthaphan¹，中野佑紀²，中村孝²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，ローム²)

11:15 〜 11:30

[17a-B3-9] 4H-SiCの熱酸化速度の理論的研究 -Si面とC面の酸化速度の相違-

^○（BC）丸山翔太郎¹，遠藤健太郎¹，長川健太¹，神谷克政¹，白石賢二^1,2 (筑波大物理¹，名大院工²)

11:30 〜 11:45

[17a-B3-10] 4H-SiC表面のNO初期酸化過程の理論的検討

^○遠藤賢太郎¹，丸山翔太郎¹，加藤重徳¹，神谷克政¹，白石賢二^1,2 (筑波大物理¹，名大院工²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-B3-11] X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO₂/4H-SiC界面における窒素分布の評価

^○（M2）岡田葉月¹，高嶋明人²，室隆桂之²，野平博司¹ (東京都市大¹，高輝度研²)