[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:15 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[17a-B4-1] 超音波噴霧ミストCVD法によるコランダム構造In₂O₃薄膜の成長

^○鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄 (京大院工)

09:15 〜 09:30

^○岡崎壮平^1,2，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^1,2，楊長^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (KAST¹，JST-CREST²，東大院理³)

09:30 〜 09:45

^○松島宏一¹，清水僚太¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九大¹，JSTさきがけ²)

09:45 〜 10:00

^○山口直也，竹内智彦，永冨瑛智，玉山泰宏，安井寛治 (長岡技科大工)

10:00 〜 10:15

^○入野将昂¹，大島孝仁¹，大友明^1,2,3 (東工大院工¹，JST-ALCA²，元素戦略³)

10:15 〜 10:30

^○神崎直人¹，伊佐雄太¹，康松潤²，富樫理恵¹，村上尚¹，熊谷義直¹，柏木勇作²，纐纈明伯¹ (東京農工大院工¹，東京エレクトロン²)

休憩　 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○（D）野瀬幸則¹，中村立¹，吉村武¹，芦田淳¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，積水化学²)

11:00 〜 11:15

^○三好佑弥，濱田夕慎，高橋昌幸，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

11:15 〜 11:30

^○高橋昌幸，濵田夕慎，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

11:30 〜 11:45

大村信亮，Sanjay Mohanta，^○中村篤志，天明二郎 (静大院工)

11:45 〜 12:00

^○中川玲¹，阿部貴美¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，小島勉¹，青田克己¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

12:00 〜 12:15

^○阿部貴美¹，中川玲¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，大坊真洋¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)