一般セッション(口頭講演)
06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2013年9月17日(火) 09:30 〜 13:00 D3 (MK 2F-201)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:30 〜 09:45
○鈴木温1,2,3，廣瀬靖1,2,3，岡大地1,2,3，中尾祥一郎2,3，松崎浩之4，福谷克之5，石井聡6，笹公和6，関場大一郎6，福村知昭1,2,3，長谷川哲也1,2,3 (東大院理1，KAST2，JST-CREST3，東大院工4，東大生研5，UTTAC6)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
○（M1）窪田誠明1，坂元尚紀1，篠崎和夫2，鈴木久男1，脇谷尚樹1 (静岡大1，東工大2)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
○小林俊介1，柴田直哉2，幾原雄一2，山本剛久1,3 (東大新領域1，東大総研2，名大工3)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
○山口孝弘，北嶋啓人，山口裕生，河村益徳，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大工)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
○佐野桂治1，新部正人1，川上烈生2，富永喜久雄2，中野由崇3 (兵庫県立大高度研1，徳島大院工2，中部大総工研3)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
○川崎聖治1，水光俊介2，高橋竜太1，大西洋2，ミック リップマー1 (東大物性研1，神戸大理2)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
○山竹恭平1，Jie Wei1，福村知昭1.2，長谷川哲也1,2 (東大院理1，JST-CREST2)
スケジュール
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休憩 (11:15 〜 11:30)
11:30 〜 11:45
○矢嶋赳彬1,2，疋田育之2，クリストファー ベル2，ハロルド ファン2,3 (東大院工1，SLAC2，スタンフォード大3)
スケジュール
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11:45 〜 12:00
○石井将之1，李智媛2，寺内雅裕2，吉村武1，中山忠親2，藤村紀文1 (阪府大院工1，長岡技科大極限2)
スケジュール
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12:00 〜 12:15
○山内智，石橋和洋 (茨城大工)
スケジュール
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12:15 〜 12:30
○（DC）青木祐太，斎藤晋 (東工大理)
スケジュール
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12:30 〜 12:45
○諸橋信一，碓井圭太，高木史博，原田直幸，村田卓也 (山口大院理工)
スケジュール
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12:45 〜 13:00
○金井真樹，柳田剛，Gang Meng，長島一樹，川合知二 (阪大産研)
スケジュール
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