一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 絶縁膜技術

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　 (12:00 〜 13:00)

13:00 〜 13:15

[17p-B5-1] ペロブスカイト構造SrHfO₃膜のSi基板上合成

^○右田真司，森田行則，昌原明植，太田裕之 (産総研 GNC)

13:15 〜 13:30

△ [17p-B5-2] 準安定正方晶ZrO₂構造の安定化機構の解明

^○加藤公彦，斉藤貴俊，坂下満男，田岡紀之，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

13:30 〜 13:45

[17p-B5-3] 分子動力学シミュレーションによるAl₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の再現

^○栗山亮¹，橋口誠広¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

13:45 〜 14:00

[17p-B5-4] Al₂O₃/SiO₂ 界面のダイポールが誘起するチャネル内の静電界

^○橋口誠広¹，栗山亮¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

14:00 〜 14:15

[17p-B5-5] W₂Cゲート電極とLa-silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価

^○中村嘉基¹，細田修平¹，カマリトクダレハン¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，若林整²，杉井信之²，筒井一生²，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

14:15 〜 14:30

[17p-B5-6] 微小電極面積を有する極薄多結晶HfO2膜の電気的特性

^○戸村有佑¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大¹，産総研²)

14:30 〜 14:45

[17p-B5-7] 多結晶HfO₂厚膜の絶縁特性

^○林真理子，門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大電物)

14:45 〜 15:00

△ [17p-B5-8] プラズマ後窒化によるHfO₂/Al₂O₃/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討

^○（M2C）韓在勲¹，張睿¹，長田剛規²，畑雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

15:00 〜 15:15

▲ [17p-B5-9] Investigation of the Substrate Orientation-Dependent on the Electrical Characteristics of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

^○Nithi Atthi，Dae-Hee Han，Huiseong Han，Shun-ichiro Ohmi (東工大院　総理工)

休憩　 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 15:45

▲ [17p-B5-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO₂ for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region

^○田畑俊行^1,2，李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

15:45 〜 16:00

▲ [17p-B5-11] Atomically Flat Planarization of Ge (110) and (100) Surface by H2 Annealing

^○西村知紀^1,2，矢嶋赳彬^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

16:00 〜 16:15

[17p-B5-12] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたGeO₂/Ge構造の作成及び評価

^○中谷友哉，山口まりな，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大・工)

16:15 〜 16:30

△ [17p-B5-13] 低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたGeO_x薄膜構造の制御

^○中山大樹¹，大野武雄²，张睿³，高木信一³，寒川誠二^1,2 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大院工³)

16:30 〜 16:45

△ [17p-B5-14] 窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfN_x/Ge-MIS構造の研究

^○（M2）三浦脩¹，田中正俊¹，安田哲二²，前田辰郎² (横国大¹，産総研²)

16:45 〜 17:00

[17p-B5-15] Al₂O₃膜挿入によるリーク電流低減の検証

^○黒柳洋真，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大・工)

17:00 〜 17:15

[17p-B5-16] GeO₂/Ge構造におけるPost Metallization Annealingの改善効果

^○山口まりな，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大・工)

17:15 〜 17:30

△ [17p-B5-17] 極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現

^○田中亮平¹，秀島伊織¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，原子力機構²)

17:30 〜 17:45

[17p-B5-18] 界面反応機構に基づくAl₂O₃/Ge界面構造制御

^○柴山茂久^1,2，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

17:45 〜 18:00

▼ [17p-B5-19] Y ドープGeO₂ 界面層のY 濃度に依存した界面酸化膜形成

^○Lu Cimang^1,2，李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

18:00 〜 18:15

▲ [17p-B5-20] Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing

^○張睿，林汝静，玉虓，竹中充，高木信一 (東大院工)

18:15 〜 18:30

▲ [17p-B5-21] Significant Enhancement of High-Ns electron mobility in Ge n-MOSFETs

^○李忠賢^1,2，魯辞莽^1,2，田畑俊行^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

セッション情報

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-B5-2] 準安定正方晶ZrO2構造の安定化機構の解明

△ [17p-B5-8] プラズマ後窒化によるHfO2/Al2O3/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討

▲ [17p-B5-9] Investigation of the Substrate Orientation-Dependent on the Electrical Characteristics of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

▲ [17p-B5-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Oxygen Potential Lowering in N-doped GeO2 for Ge MIS Gate Stack Design in Extremely Thin EOT Region