[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月17日(火) 13:30 〜 15:30 P7 (デイヴィス記念館 )

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13:30 〜 15:30

[17p-P7-1] 六方晶窒化ホウ素薄膜のサファイア基板上への高温化学気相成長におけるBCl₃供給量依存性

^○李惠映¹，梅原直己¹，桑原伊織¹，光野徹也¹，小南裕子¹，中西洋一郎¹，原和彦^1,2 (静大電子研¹，静大創造大院²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-2] (110)Si基板上GaNのMOVPE成長におけるAlN中間層成長温度の影響

^○名和健吾¹，光成正¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-3] ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察

^○正直花奈子¹，花田貴¹，崔正焄¹，島田貴章¹，今井康彦²，木村滋²，谷川智之¹，片山竜二¹，松岡隆志¹ (東北大金研¹，JASRI²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-4] GaN横方向成長を目指したタングステンマスクによる電流制御型液相成長

^○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-5] ハイドライド気相成長法による自立{20-21}GaN基板の作製とLED応用

^○（PC）山根啓輔，橋本健宏，稲垣卓志，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-6] 硬X線光電子分光法を用いたMg-InNのエネルギーバンド分布評価

^○井村将隆¹，小出康夫¹，名西やすし^4,5，荒木　努⁴，山口智広³，山下良之²，吉川英樹²，小林啓介²，津田俊輔¹，長田貴弘¹，武田寛之¹，A.L. Yang²，金子昌充⁴，上松　尚⁴ (物材機構¹，SPring-8物材機構²，工学院大³，立命館大⁴，ソウル大⁵)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-7] 熱処理によるゲート金属（Ti or TiSi₂）/AlGaN界面の化学結合状態変化

^○野畑大祐¹，角嶋邦之²，岩井博³，野平博司¹ (都市大工¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研³)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-8] GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響

^○（M1）藤岡秀平¹，網谷良介¹，尾沼猛儀^1,2，山口智広¹，本田徹¹ (工学院大¹，東京高専²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-9] InAlGaNを活性層に用いた深紫外LEDに関する研究

^○加藤正隆，三好実人，江川孝志 (名工大院)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-10] LP-MOVPE法で成長したSi添加Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多重量子井戸構造(x~0.6)のカソードルミネッセンスマッピング評価

^○倉井聡¹，穴井恒二¹，若松歩¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-11] InGaN量子井戸構造における障壁層暗点分布と活性層発光分布の相関

^○信田真孝，細川大介，倉井聡，岡田成二，只友一行，山田陽一 (山口大院・理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-12] AlGaN混晶薄膜における励起子分子の熱的安定性

^○古谷佑二郎¹，中尾文哉¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院・理工¹，三重大院・工²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-13] GaN/AlNを用いたサブバンド間遷移光吸収のシミュレーション

^○伊藤成顕，ソダーバンルーハッサネット，杉山正和，中野義昭 (東大工)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-14] MBE交互供給法による(111)Si基板上のGaN系ナノワイヤ成長

^○水谷駿介¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-15] InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討

^○徳田英俊，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

セッション情報

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