[18a-B1-1~11] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2013年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 B1 (TC2 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[18a-B1-1] 臭素ドーピングによる剥離HOPG のフェルレベル変化

^○小杉諒佑¹，今関兼也¹，松本勇士¹，青笹明彦¹，宮崎久生²，佐久間尚志²，梶田明広²，酒井忠司²，上野和良¹ (芝浦工大¹，超低電圧デバイス技術研究組合²)

09:15 〜 09:30

^○Shengnan Wang，鈴木哲，古川一暁，日比野浩樹 (NTT物性基礎研)

09:30 〜 09:45

^○田原康佐¹，岩崎孝之¹，松谷晃宏¹，山口智弘²，石橋幸治²，波多野睦子¹ (東工大　¹，理研²)

09:45 〜 10:00

^○小林慶祐¹，田邉真一²，田尾拓人¹，呉龍錫¹，奥村俊夫¹，中島健志¹，日比野浩樹²，永瀬雅夫¹ (徳島大¹，NTT物性基礎研²)

10:00 〜 10:15

^○相馬聡文，上山真之，小川真人 (神大院工)

休憩　 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

^○（M1）伊藤優^1,2，仁平慎太郎^1,2，片倉健太^1,2，友利ひかり^1,2，田中宏和^1,2，平出璃音歌^1,2，大塚洋一¹，神田晶申^1,2 (筑波大数理物質¹，筑波大学際物質セ²)

10:45 〜 11:00

^○片倉健太^1,2，友利ひかり^1,2，伊藤優^1,2，仁平慎太郎^1,2，平出璃音可^1,2，田中宏和^1,2，大塚洋一¹，神田晶申^1,2 (筑波大数理物質¹，筑波大学際物質セ²)

11:00 〜 11:15

^○大淵真理 (富士通研)

11:15 〜 11:30

^○（M2）新留彩^1,2，高橋綱己²，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶大理工電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

11:30 〜 11:45

^○三苫伸彦^1,2，野内亮¹ (阪府大¹，物材機構 WPI-MANA²)

11:45 〜 12:00

^○高村真琴，岡本創，古川一暁，田邉真一，山口浩司，日比野浩樹 (NTT物性基礎研)