[18a-D7-1~11] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月18日(水) 10:00 〜 13:00 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

10:00 〜 10:15

[18a-D7-1] GaN化合物原料とラジカル窒素を用いたMBE法によるEu添加GaN薄膜の作製

^○小山裕生，弓達新治，井上貴満，宮田晃，白方祥 (愛大工)

10:15 〜 10:30

^○（M1）松田将明，李東建，若松龍太，小泉淳，藤原康文 (大阪院工)

10:30 〜 10:45

^○稲葉智宏，李東建，若松龍太，小泉淳，藤原康文 (阪大工)

10:45 〜 11:00

^○石津勇太¹，辻和真¹，喜多隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉宏和³ (神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫県立工業技術センター³)

11:00 〜 11:15

^○鍵政亮介，梶原舜，松本允洸，勝俣裕 (明大理工)

休憩　 (11:15 〜 11:30)

11:30 〜 11:45

^○尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2，鍛冶玲奈³，穂積貴人³，足立智³，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

11:45 〜 12:00

^○赤沢方省¹，篠島弘幸² (NTT MI研¹，久留米高専²)

12:00 〜 12:15

^○（M1）梶原舜，鍵政亮介，松本允洸，勝俣裕 (明大理工)

12:15 〜 12:30

^○村越尚輝¹，イスラムトウヒドル¹，福田武司¹，鎌田憲彦¹，平山秀樹² (埼玉大¹，理研²)

12:30 〜 12:45

^○原澤遼¹，浅香尚洋¹，Shulong Lu²，Lian Ji²，竹内淳¹ (早大先進理工¹，SINANO-CAS²)

12:45 〜 13:00

^○本多一輝¹，上村光典¹，安江雄也¹，Lu Shulong²，Dai Pan²，竹内淳¹ (早大理工¹，SINANO-CAS²)