一般セッション(口頭講演)

09．応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[18p-C11-1~14] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:45 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　 (11:30 〜 13:00)

13:00 〜 13:15

△ [18p-C11-1] n 型、p 型不純物同時ドーピングによる近赤外-可視発光コロイド状Si ナノ結晶の開発

^○（M2）杉本泰¹，藤井稔¹，今北健二¹，林真至¹，赤松謙佑² (神戸大院工¹，甲南大フロンティアサイエンス学部²)

13:15 〜 13:30

[18p-C11-2] コロイド状SiGeナノ結晶の作製と光学特性（I）

^○管野天，杉本泰，藤井稔，今北健二，林真至 (神戸大院工)

13:30 〜 13:45

[18p-C11-3] 溶液に分散したウンデシレン酸終端Siナノ結晶の発光特性

^○（M2）長田健司¹，松本公久¹，野村俊¹，神谷和秀¹，鈴木伸哉² (富山県立大¹，長野高専²)

13:45 〜 14:00

[18p-C11-4] シリコンナノ結晶とP3HTの複合体における光伝導特性評価

^○舩木健伍¹，近藤信啓¹，宇佐美浩一¹，小寺哲夫¹，河野行雄¹，野崎智洋²，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東工大・院理工²)

14:00 〜 14:15

[18p-C11-5] 希釈窒化物半導体ナノワイヤ配列のフォトニック結晶応用の検討

^○石川史太郎^1,2，後藤洋昭²，森藤正人² (愛大¹，阪大²)

14:15 〜 14:30

[18p-C11-6] ナノチューブの音響フォノンモード導出アルゴリズム

^○西口規彦 (北大工)

休憩　 (14:30 〜 14:45)

14:45 〜 15:00

[18p-C11-7] MOVPE選択成長法によるポリシリコン薄膜上のGaAsナノワイヤの作製と評価 (II)

池尻圭太郎¹，石坂文哉¹，冨岡克広^1,2，^○福井孝志¹ (北大情報科学研究科¹，JSTさきがけ²)

15:00 〜 15:15

[18p-C11-8] 自己触媒法によって成長したInP/InAsナノワイヤの光学特性

^○章国強，Danang Birowosuto，舘野功太，後藤秀樹 (NTT物性基礎研)

15:15 〜 15:30

[18p-C11-9] AlGaAs/GaAsコア・シェル構造導入によるInGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの発光特性改善

^○舘林潤¹，西岡政雄²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

15:30 〜 15:45

△ [18p-C11-10] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱構造InP/GaPコアシェルナノワイヤの作製

^○石坂文哉¹，池尻圭太郎¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹ (北大院情報科学及び量集センター¹，JSTさきがけ²)

15:45 〜 16:00

[18p-C11-11] マスクパターンによるInP 系ナノワイヤの位置決めVLS 成長

^○河口研一¹，須藤久男¹，松田学¹，江川満¹，山本剛之¹，荒川泰彦² (富士通研¹，東大ナノ量子²)

16:00 〜 16:15

[18p-C11-12] 横方向成長させたGaAsナノワイヤの評価

^○（M1）和田年弘¹，小橋義典¹，原真二郎^1,2，本久順一¹ (北大院¹，量子集積研究センター²)

16:15 〜 16:30

[18p-C11-13] 熱CVD法によるFeナノワイヤの作製

^○（M1）川人愛子¹，柳瀬隆²，長浜太郎²，島田敏宏² (北大総化¹，北大工²)

16:30 〜 16:45

△ [18p-C11-14] SiO₂コラム上のバナジウム酸化物ナノワイヤの成長

^○名村今日子^1,2，Shu-Yi Li³，Claes G. Granqvist³，斉藤光⁴，倉田博基⁴，鈴木基史¹，中嶋薫¹，木村健二¹ (京大院・工¹，J S P S Research Fellow²，Uppsala Univ.³，京大化研⁴)