[18p-C15-1~7] スピントロニクスデバイスの高性能化・多機能化への道（関連大分類：10）

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:45 C15 (TC3 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:00 〜 13:30

[18p-C15-1] スピントロニクスメモリ素子開発の現状と今後の展望（30分）

^○大野英男^1,2,3 (東北大CSIS¹，東北大通研²，東北大WPI-AIMR³)

13:30 〜 14:00

^○山本眞史，植村哲也 (北大院情報科学)

14:00 〜 14:30

^○小山知弘^1,2，千葉大地^1,2,3，小野輝男¹ (京大化研¹，東大物工²，JSTさきがけ³)

14:30 〜 15:00

^○佐藤利江，永澤鶴美，工藤究，首藤浩文，山岸道長，水島公一 (東芝研究開発センター)

休憩　 (15:00 〜 15:15)

15:15 〜 15:45

^○西川卓男¹，藤原耕輔²，大兼幹彦²，永沼博²，中里信和³，安藤康夫² (コニカミノルタ¹，東北大院工²，東北大医³)

15:45 〜 16:15

^○三輪真嗣¹，石橋翔太¹，冨田博之¹，野崎隆行^1,2，田村英一¹，猿谷武史²，久保田均²，薬師寺啓²，福島章雄²，湯浅新治²，鈴木義茂^1,2 (阪大院基礎工¹，産総研ナノスピントロニクス研究センター²)

16:15 〜 16:45

^○石田真彦 (ＮＥＣ)