昼食 (12:30 〜 14:00)
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一般セッション(口頭講演)
06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
[18p-D3-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス
2013年9月18日(水) 14:00 〜 19:00 D3 (MK 2F-201)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
14:00 〜 14:30
○細野秀雄 (東工大)
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14:30 〜 14:45
○江端一晃 (出光興産)
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14:45 〜 15:00
○（M2）荒木拓海，岩田純一，平野祐，勝俣裕 (明大理工)
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15:00 〜 15:15
○白崎慎也1，菊池昭彦1,2 (上智大・理工1，上智大ナノテクノロジー研究センター2)
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15:15 〜 15:30
○（M2）長縄陽介1，岩田達夫2，永井滋一1,2，梶原和夫1,2，畑浩一1,2，酒井智啓3，廣芝伸哉3，市川洋3 (三重大院工1，三重大極限ナノエレセ2，名工大院工3)
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15:30 〜 15:45
○（M1）藤井努，石山武，石井佑弥，福田光男 (豊橋技術科学大)
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15:45 〜 16:00
○池田匡孝，岡本佑樹，中川貴史，青木健，上妻宗広，長多剛，黒川義元，池田隆之，山出直人，岡崎豊，宮入秀和，小山潤，山崎舜平 (半導体エネルギー研究所)
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16:00 〜 16:15
○大橋直樹1,2,3，渡邊賢1，坂口勲1,3，安達裕1，菱田俊一1，高橋涼介1,3，Oliver Bierwagen4,5，James Speck4，羽田肇1，Alex Brian1 (物・材機構1，東工大・元素2，九大・量プロ3，ＵＣサンタバーバラ4，ＰＤＩベルリン5)
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休憩 (16:15 〜 16:30)
16:30 〜 16:45
○井澤涼太1，種村和幸1，坂本尚紀1，篠崎和夫2，鈴木久男1，脇谷尚樹1 (静岡大1，東工大2)
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16:45 〜 17:00
○佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)
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17:00 〜 17:15
○宮田俊弘，西祐希，南内嗣 (金沢工大)
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17:15 〜 17:30
○森山和眞，松本靖弘，張紹偉，川出大佑，杉山睦 (東理大 理工/総研)
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17:30 〜 18:00
○関宗俊，山原弘靖，田畑仁 (東大)
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18:00 〜 18:15
○松崎功佑1，Leonardo Lari2，Vlado Lazarov2，細野秀雄1，須崎友文1 (東工大応セラ研1，York大2)
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18:15 〜 18:30
○平井慧1，麻生亮太郎1，菅大介1，市川能也1，倉田博基1,2，島川祐一1,2 (京大化研1，JST-CREST2)
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18:30 〜 18:45
○片山司1，近松彰1,2，廣瀬靖1,2,3，高木亮介1，神坂英幸1,2，福村知昭1,2，長谷川哲也1,2,3 (東大1，JST-CREST2，KAST3)
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18:45 〜 19:00
○小野塚智也1，近松彰1, 2，片山司1，福村知昭1, 2，長谷川哲也1, 2, 3 (東大院理1，JST-CREST2，KAST3)
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