[18p-P1-1~4] 3.3 機器・デバイス光学

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P1 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 15:30

[18p-P1-1] Si-V溝基板を用いたCO₂レーザ照射による融着光ファイバの高輝度放射光μＣＴによる含有物の観測結果

^○小池真司¹，上野祐子²，柳秀一¹，鈴木賢哉¹，高橋哲夫¹，上杉健太朗³，竹内晃久³，星野真人³，鈴木芳生³，渡辺義夫³ (NTTフォトニクス研究所¹，NTTマイクロシステムインテグレーション研究所²，JASRI / SPring-8³)

13:30 〜 15:30

^○中村剣登¹，河村希典¹，佐藤進² (秋田大¹，液晶レンズ研究所²)

13:30 〜 15:30

^○梁瀬智，内田勝，葉茂，王濱 (秋田産技センター)

13:30 〜 15:30

^○大木翔太¹，斎藤達也¹，船附聖仁²，高橋泰樹² (工学院大院工¹，工学院大²)