[18p-P9-1~10] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P9 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 15:30

▼ [18p-P9-1] Characterization of Interface Traps in Au/Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS Structures

^○林汝靜¹，張睿^1,2，田岡紀之³，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，南京大²，名大³)

13:30 〜 15:30

^○株柳翔一^{1, 2}，西村知紀^{1, 2}，長汐晃輔^{1, 2}，鳥海明^{1, 2} (東大工¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

^○立川晋平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄 (東京農工大工)

13:30 〜 15:30

^○門馬久典，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

13:30 〜 15:30

^○奥友希，志賀俊彦，戸塚正裕，竹見政義 (三菱電機　波光電)

13:30 〜 15:30

^○成田英史¹，岩崎拓郎¹，福田幸夫²，王谷洋平²，小野俊郎¹，岡本浩¹ (弘前大¹，諏訪東理大²)

13:30 〜 15:30

^○鹿国強¹，大嶺洋¹，Zadeh Darius¹，角嶋邦之²，西山彰²，杉井信之²，片岡好則²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大院総理工²)

13:30 〜 15:30

^○橋本邦明¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

13:30 〜 15:30

^○滝ヶ浦佑介，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大電物)

13:30 〜 15:30

鈴木亜嵐¹，シャクールナウシャド¹，落合良治²，永島大樹²，^○小林清輝^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)