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一般セッション(口頭講演)

07．ビーム応用 » 7.6 イオンビーム一般

[19a-A12-1~8] 7.6 イオンビーム一般

2013年9月19日(木) 10:00 〜 12:00 A12 (TC1 3F-316)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:00 〜 10:15

[19a-A12-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）イオンビーム照射成膜によるAlN薄膜の極性・配向制御および極性反転多層構造の形成

^○鈴木雅視，柳谷隆彦 (名工大)

10:15 〜 10:30

[19a-A12-2] イオンビームアシスト成膜法によるc軸平行螺旋構造AlN薄膜の形成

^○（D）鈴木雅視，柳谷隆彦 (名工大)

10:30 〜 10:45

[19a-A12-3] Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響

^○アザマトオシュラフノフ¹，松井祐斗¹，柳沢淳一¹，佐藤一成²，山本喜之² (滋賀県立大工¹，住友電工²)

10:45 〜 11:00

[19a-A12-4] IBIECによる再結晶化後のアニールによるSi_1-xGe_x/Siの逆アニール現象

^○関根渉¹，山本康博¹，西村智朗² (法政大院理工¹，イオンビーム工研²)

11:00 〜 11:15

[19a-A12-5] 高速重イオン照射によるSiO₂中の金属ナノ粒子の楕円変形(2)

^○雨倉宏¹，大久保成彰²，石川法人² (物材機構¹，原研²)

11:15 〜 11:30

[19a-A12-6] ヘリウムビームを用いたTOF-ERDAのための窒素弾性反跳断面積の測定(2)

^○安田啓介¹，土田秀次²，間嶋拓也² (若狭湾エネ研¹，京大院工²)

11:30 〜 11:45

[19a-A12-7] 高速重イオンビームを用いた脂質の二次イオン質量分析

^○藤井麻樹子，草刈将一，瀬木利夫，青木学聡，松尾二郎 (京大院工)

11:45 〜 12:00

[19a-A12-8] ガスクラスターイオンビームによる有機デバイスの深さ方向SIMS分析

^○中川駿一郎¹，瀬木利夫^1,2，青木学聡^1,2，松尾二郎^1,2 (京大院工¹，JST-CREST²)