[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年9月19日(木) 09:00 〜 12:15 C8 (TC3 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[19a-C8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）ランダムテレグラフノイズによる動的なゲート電圧印加中のSi MOSFETドレイン電流変動

^○馮ウェイ^1,2，山田啓作^1,2，大毛利健治^1,2 (筑波大¹，JST-CREST²)

09:15 〜 09:30

^○土屋敏章¹，田村直義²，榊谷明仁²，園田賢一郎²，亀井政幸²，山川真弥²，桑原純夫² (島根大総合理工¹，半導体理工学研究センター²)

09:30 〜 09:45

^○土屋敏章¹，田村直義²，榊谷明仁²，園田賢一郎²，亀井政幸²，山川真弥²，桑原純夫² (島根大総合理工¹，半導体理工学研究センター²)

09:45 〜 10:00

^○陳杰智，東悠介，平野泉，三谷祐一郎 (東芝研発セ　)

10:00 〜 10:15

^○迫間昌俊¹，阿保智¹，若家冨士男¹，牧野高紘²，小野田忍²，大島武²，岩松俊明³，尾田秀一³，高井幹夫¹ (阪大極限センター¹，日本原研²，ルネサスエレクトロニクス³)

休憩　 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

^○松川貴，柳永勛，塚田順一，遠藤和彦，山内洋美，石川由紀，大内真一，水林亘，太田裕之，右田真司，森田行則，昌原明植 (産総研ナノエレ部門)

10:45 〜 11:00

^○寺田和夫，辻勝弘 (広島市大)

11:00 〜 11:15

^○Nurul Ezaila Alias¹，Anil Kumar¹，Takuya Saraya¹，Shinji Miyano²，Toshiro Hiramoto¹ (IIS, Univ. of Tokyo¹，STARC²)

11:15 〜 11:30

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

11:30 〜 11:45

^○鄭承旻，水谷朋子，平本俊郎 (東大生研)

11:45 〜 12:00

^○長尾光晋，水谷朋子，平本俊郎 (東大生研)

12:00 〜 12:15

^○アニールクマール¹，更屋拓哉¹，宮野信治²，平本俊郎¹ (東大生研¹，STARC²)