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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・評価

[19a-P4-1~2] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P4 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 11:30

^○田中洋毅¹，石川貴之¹，花田和弘²，三里朗²，富田充裕¹ (東芝研究開発センター¹，東芝S&S社²)

09:30 〜 11:30

^○Sungjin Park¹，Noriyuki Uchida¹，Yoshihiko Moriyama²，Tsutomu Tezuka²，Tetsuya Tada¹ (産総研　ナノエレ部門¹，産総研　GNC²)