[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P7 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 11:30

[19a-P7-1] 高抵抗GaNのトラップ評価

^○徳田豊¹，田中丈士^2,3，塩島謙次²，乙木洋平³ (愛知工大¹，福井大院工²，日立電線³)

09:30 〜 11:30

^○本郷直樹，瀧本拓真，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

09:30 〜 11:30

^○山本晋吾¹，青木俊周¹，金田直樹²，三島友義²，塩島謙次¹ (福井大院工¹，日立電線²)

09:30 〜 11:30

^○青木俊周¹，Ji-Su Son²，天野浩²，塩島謙次¹ (福井大院工¹，名大²)

09:30 〜 11:30

^○小田龍平 (名工大)

09:30 〜 11:30

^○（M1）葛西駿，小川弘貴，中村徹 (法政大理工)

09:30 〜 11:30

^○青柳拓也，岡田裕太郎，中村徹 (法政大理工)

09:30 〜 11:30

^○成田知隆，藤本祐一，分島彰男，江川孝志 (名工大)

09:30 〜 11:30

^○水江千帆子，市川弘之，井上和孝 (住友電工　伝送デバイス研)

09:30 〜 11:30

^○岡本真里¹，松川佳弘¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，岩井洋¹，若林整²，筒井一生¹，齋藤渉³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター&ストレージ社³)

09:30 〜 11:30

^○神谷真行¹，寺山一真¹，武井優典¹，齋藤渉²，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社²)

09:30 〜 11:30

^○米澤宏昭¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大ﾌﾛﾝﾃｨｱ研²，産業技術総合研究所³)

09:30 〜 11:30

^○千葉勝仁，中野拓真，赤澤正道 (北大量集センター)

09:30 〜 11:30

^○川津琢也¹，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，榊裕之^1,2 (物材機構¹，豊田工大²)