[19a-P9-1~10] 15.6 IV族系化合物

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P9 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 11:30

[19a-P9-1] シミュレーションによる4H-SiCエピ膜上の巨大ステップバンチング生成機構の研究

^○石田夕起，吉田貞史 (産総研)

09:30 〜 11:30

^○紀世陽¹，児島一聡¹，石田夕起¹，齊藤新吾¹，加藤智久¹，吉田貞史¹，土田秀一²，奥村元¹ (産業技術総合研究所　¹，電力中央研究所²)

09:30 〜 11:30

^○佐藤創志¹，廣井佑紀³，山部紀久夫³，北畠真⁴，遠藤哲郎^1,2，丹羽正昭¹ (東北大国際集積センター¹，東北大工学研究科²，筑波大電子物理³，FUPET⁴)

09:30 〜 11:30

^○後藤大祐，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

^○畑山智亮，堀良太，矢野裕司，冬木隆 (奈良先端大)

09:30 〜 11:30

^○（M1）荒井亮¹，梅田享英¹，佐藤嘉洋¹，岡本光央²，原田信介²，小杉亮治²，奥村元²，牧野高紘³，大島武³ (筑波大¹，産総研²，原研³)

09:30 〜 11:30

^○牧野高紘¹，出来真斗²，藤田奈津子¹，岩本直也¹，小野田忍¹，大島武¹ (原子力機構¹，徳島大院²)

09:30 〜 11:30

^○（B）井上祐樹，池上浩，池田晃裕，中村大輔，岡田龍雄，浅野種正 (九大)

09:30 〜 11:30

^○（M1）デシルワミランタ，黒木伸一郎，佐藤旦，吉川公麿 (広島大)

09:30 〜 11:30

^○吉田謙一，二木佐知，川野輪仁，長町信治 (イオンテクノセンター)