一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年9月19日(木) 13:00 〜 19:15 B5 (TC2 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　 (12:00 〜 13:00)

13:00 〜 13:30

[19p-B5-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport

^○熊谷義直¹，久保田有紀²，永島徹^1,2，木下亨²，Rafael Dalmau³，Raoul Schlesser³，Baxter Moody³，Jinqiao Xie³，村上尚¹，纐纈明伯¹，Zlatko Sitar^3,4 (農工大¹，トクヤマ²，HexaTech³，ノースカロライナ州大⁴)

13:30 〜 13:45

[19p-B5-2] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Naフラックス法によるポイントシード上バルクGaN単結晶成長

^○今出完，村上航介，松尾大輔，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，北本啓，丸山美帆子，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

13:45 〜 14:00

[19p-B5-3] 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成と鉱化剤の影響

^○包全喜^1,3，斉藤真^1,2，冨田大輔¹，羽豆耕治¹，古澤健太郎¹，鏡谷勇二²，茅野林造³，喬焜¹，石黒徹¹，横山千昭¹，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²，日本製鋼所³)

14:00 〜 14:15

[19p-B5-4] サファイア加工基板を用いた{20-21} GaN成長における積層欠陥の抑制

^○橋本健宏，小山正和，稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大)

14:15 〜 14:30

△ [19p-B5-5] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析

^○荒内琢士¹，竹内正太郎¹，中村邦彦¹，Khan Dhin¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³)

14:30 〜 14:45

△ [19p-B5-6] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長

^○斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

14:45 〜 15:00

[19p-B5-7] Si基板上窒化物半導体成長に向けたCOガスを用いたSi表面炭化によるSiCバッファ層形成

^○（PC）出浦桃子，福山博之 (東北大多元研)

休憩　 (15:00 〜 15:15)

15:15 〜 15:30

△ [19p-B5-8] MOVPE法によるAlInNの高速成長

^○小塚祐吾¹，安田俊輝¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大院理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

15:30 〜 15:45

[19p-B5-9] InAlN/InAlN MQWの結晶成長および評価

^○（M1）伊藤達也，渡邉新，森健太郎，江川孝志 (名工大院)

15:45 〜 16:00

△ [19p-B5-10] 半極性(1\overline{1}02)AlN基板上へのAlGaN/AlN量子井戸構造の作製

^○市川修平¹，船戸充¹，永田俊郎²，川上養一¹ (京大院工¹，JFEミネラル²)

16:00 〜 16:15

△ [19p-B5-11] サファイア上AlN成長におけるN₂-COアニールによるAlN緩衝層制御

^○（M2）西尾剛¹，三宅秀人¹，平松和政¹，福山博之² (三重大院工¹，東北大多元研²)

16:15 〜 16:30

[19p-B5-12] GaNの水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法におけるサイドエッチング特性の評価

^○（M2）蜂屋大樹，菊池昭彦 (上智大)

16:30 〜 16:45

[19p-B5-13] ＧａＮエピタキシャル膜中の転位とウエハダイシングプロセスの相関性

^○田口秀幸^1,3，北原周¹，三宅修吾¹，中上明光¹，鈴木敦志²，上山智²，藤原康文³ (コベルコ科研¹，名城大²，阪大³)

16:45 〜 17:00

[19p-B5-14] 青色面発光レーザに向けた電流狭窄構造の検討

^○（M1）中島啓介¹，渡邉雅大¹，加賀充¹，鈴木智行¹，南川大智¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大¹，名大赤﨑記念研究センター²)

17:00 〜 17:15

[19p-B5-15] InGaN下地層および正孔ブロッキング層を用いた半極性 {11-22} LEDの作製及び評価

^○中尾洸太，Haziq Muhammad，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

休憩　 (17:15 〜 17:30)

17:30 〜 17:45

△ [19p-B5-16] 低屈折率膜を有するサブ波長回折格子を実装したUV-LEDの偏光特性

^○高島祐介¹，清水亮¹，原口雅宣^1,2，直井美貴^1,2 (徳島大ATS¹，徳島大STS²)

17:45 〜 18:00

[19p-B5-17] 深紫外LED用結合ピラーAlNバッファーの改善

^○（M1）豊田史朗^1,2，水澤克哉^1,2，鎌田憲彦²，平山秀樹¹ (理研¹，埼玉大²)

18:00 〜 18:15

[19p-B5-18] p型AlGaN透明コンタクト層の組成短波長化とDUV-LEDの高効率化

^○前田哲利，平山秀樹 (理研)

18:15 〜 18:30

▲ [19p-B5-19] Non-polar M-plane AlGaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diode

^○（P）Ryan Banal，谷保芳孝，山本秀樹 (NTT物性研)

18:30 〜 18:45

△ [19p-B5-20] Si上縦型深紫外LEDの開発

^○（M1）柴野謙太朗¹，黒瀬範子²，荒木努¹，青柳克信² (立命館大理工¹，立命館大総合科学技術研究機構²)

18:45 〜 19:00

△ [19p-B5-21] 窒化物半導体を用いたHFET型光センサーの暗電流検討

^○石黒真未¹，池田和弥¹，水野正隆¹，村瀬卓弥¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤崎勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤崎記念研究センター²)

19:00 〜 19:15

[19p-B5-22] 窒化物半導体ライトエミッティングトランジスタの電気・光出力変調特性

^○熊倉一英，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)