一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年9月19日(木) 13:15 〜 18:30 C8 (TC3 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　 (12:15 〜 13:15)

13:15 〜 13:45

[19p-C8-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）Single-Electron Stochastic Resonance Using Si Nanowire Transistors

^○西口克彦，藤原聡 (NTT物性基礎研)

13:45 〜 14:00

△ [19p-C8-2] Si/SiGe系MOS構造量子ポイントコンタクトの特性評価

^○神岡純¹，小寺哲夫^1,2,3，武田健太⁴，小幡利顕⁴，Waseem. M. Akhtar⁴，樽茶清悟^2,4,5，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東大工⁴，理化学研究所⁵)

14:00 〜 14:15

△ [19p-C8-3] ホール輸送によるp型二重結合量子ドットの特性評価

^○山田宏¹，小寺哲夫^1,2,3，蒲原知宏¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東大ナノ量子機構²，JST-PRESTO³)

14:15 〜 14:30

△ [19p-C8-4] チャージセンサのバックアクションによるシリコン量子ドット内電子励起の観測

^○堀部浩介¹，小寺哲夫^1,2,3，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³)

14:30 〜 14:45

△ [19p-C8-5] 三角形状に配置したシリコン三重量子ドットのチャージセンシング

^○（M2）溝口来成¹，小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，河野行雄¹，荒川泰彦^2,4，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東大生研⁴)

14:45 〜 15:00

[19p-C8-6] ダブルゲートSi単電子トランジスタにおけるExcited stateの特性変化

^○吉岡勇¹，内田貴史¹，佐藤光¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性研²)

15:00 〜 15:15

[19p-C8-7] 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける少数電子系の結合容量の評価

^○（M2）内田貴史¹，吉岡勇¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT物性基礎研²)

休憩　 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 16:00

[19p-C8-8] 「応用物理学会解説論文賞受賞記念講演」（30分）ポストスケーリング技術の現状と期待される新展開

^○財満鎭明 (名大)

16:00 〜 16:15

[19p-C8-9] 数 nm-CMOS 素子用 2DSi 層の検討（III）：量子的閉じ込め効果の異方性

^○永田祐介¹，中原雄太¹，鈴木佑弥¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

16:15 〜 16:30

[19p-C8-10] 数nm-CMOS 素子用二次元Si 層の検討（IV）：光学特性の変調効果

^○鈴木佑弥¹，中原雄太¹，永田祐介¹，青木孝¹，水野智久¹，鮫島俊之² (神奈川大理¹，東京農工大工²)

16:30 〜 16:45

[19p-C8-11] 数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅴ)

^○中原雄太¹，永田祐介¹，鈴木佑弥¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

16:45 〜 17:00

△ [19p-C8-12] GaSb pMOSFETのMetal Source/Drainに向けたNi-GaSb/GaSbショットキー接合の低温における形成

^○西康一¹，金相賢¹，横山正史¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，日本電信電話 NTTフォトニクス研究所²)

17:00 〜 17:15

△ [19p-C8-13] ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界

^○（M1）大森正規¹，木場隼介¹，前川容佑¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

17:15 〜 17:30

[19p-C8-14] 単層MoS₂チャネルを用いたn-MOSFETの性能見積り

^○大橋匠¹，若林整²，角嶋邦之²，杉井信之²，西山彰²，片岡好則²，名取研二³，筒井一生²，岩井洋³ (東工大工学部¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研³)

17:30 〜 17:45

[19p-C8-15] 不純物のイオン化エネルギー増大によるナノワイヤトランジスタの電気的特性に与える影響

^○黒澤裕也^1,2，角谷直哉¹，高橋綱己²，大橋輝之¹，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶大理工²，東工大量子ナノ研セ³)

17:45 〜 18:00

[19p-C8-16] MOS界面における変位ポテンシャル上昇が超薄膜チャネルMOSFETのドレイン電流に与える影響

^○木場隼介¹，石田良馬¹，久保田結子¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

18:00 〜 18:15

[19p-C8-17] 短チャネルSi MOSFETの準バリスティック輸送パラメータの抽出

^○石田良馬¹，木場隼介¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

18:15 〜 18:30

[19p-C8-18] コア-シェルゲート構造によるショットキー障壁トンネルFETの特性改善

^○橋本修一郎¹，鹿浜康寛¹，渡邉孝信^1,2 (早大理工¹，早大ナノ機構²)