一般セッション(口頭講演)

09．応用物性 » 9.4 熱電変換

[20a-C13-1~12] 9.4 熱電変換

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C13 (TC3 2F-214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-C13-1] 焦電効果に対するd電子の役割

^○梶谷剛，相川瑛介，林慶，藤原巧 (東北大工応物)

09:15 〜 09:30

[20a-C13-2] 電気二重層トランジスタを用いたZnOの熱電特性制御

^○藤井武則¹，高柳良平²，朝光敦^1,2 (東大低温セ¹，東大院工²)

09:30 〜 09:45

[20a-C13-3] MOD法によるCa₃Co₄O₉熱電薄膜の作製

^○（M2）吉原秀明，松本要，堀出朋哉 (九工大)

09:45 〜 10:00

▼ [20a-C13-4] Improvement of thermoelectric performances of Bi₂Sr₂Co₂O_x by controlling microstructure through bulk melt process

^○（P）Emmanuel Combe¹，舟橋良次¹，Feridoon Azough²，Robert Freer² (産総研¹，マンチャスター大²)

10:00 〜 10:15

[20a-C13-5] 圧力を媒介としたCuInTe₂バルク熱電材料のナノスケール構造制御

^○小菅厚子，梅景康平，松沢美恵，阪本康弘，山田幾也 (阪府大ナノセ)

10:15 〜 10:30

[20a-C13-6] PTFE微粒子を利用したBi_0.5Sb_1.5Te₃への空孔生成と、その熱電特性

^○草田英夫¹，酒井章裕¹，玉置洋正¹，高橋宏平¹，菅野勉¹，山田由佳¹，阿部浩也² (パナソニック先端技研¹，阪大接合研²)

休憩　 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

△ [20a-C13-7] M₃Ni_3-xCo_xSb₄(M=Zr,Hf)における高い熱電変換性能

^○玉置洋正，菅野勉，酒井章裕，高橋宏平，草田英夫，山田由佳 (パナソニック先端技研)

11:00 〜 11:15

△ [20a-C13-8] 層状カルコゲン化合物ACrX₂ (A = Cu, Ag; X = S, Se)単結晶の熱電特性

^○矢野力三，笹川崇男 (東工大応セラ研)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C13-9] イットリウムホウ化物の合成と熱電特性

^○丸山恵史^1,2，Anastasiia Prytuliak¹，宮﨑讓²，林慶²，梶谷剛²，森孝雄^1,3 (物材機構¹，東北大院工²，筑波大院数物³)

11:30 〜 11:45

[20a-C13-10] 導電性高分子PEDOT-PSS膜の電気伝導率の膜厚依存性

^○外園昌弘¹，阿武宏明^1,2，戸嶋直樹^1,2 (山口東理大工¹，山口東理大工・先進研²)

11:45 〜 12:00

[20a-C13-11] Si-Ni,Si-Ge-Niナノコンポジット半導体膜の熱電特性

^○内田紀行¹，大石佑治²，黒崎健²，山中伸介²，多田哲也¹ (産総研ナノエレ部門¹，阪大工²)

12:00 〜 12:15

△ [20a-C13-12] Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

^○（D）山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

セッション情報

[20a-C13-1~12] 9.4 熱電変換

[20a-C13-1] 焦電効果に対するd電子の役割

[20a-C13-2] 電気二重層トランジスタを用いたZnOの熱電特性制御

[20a-C13-3] MOD法によるCa3Co4O9熱電薄膜の作製

▼ [20a-C13-4] Improvement of thermoelectric performances of Bi2Sr2Co2Ox by controlling microstructure through bulk melt process

[20a-C13-5] 圧力を媒介としたCuInTe2バルク熱電材料のナノスケール構造制御

[20a-C13-6] PTFE微粒子を利用したBi0.5Sb1.5Te3への空孔生成と、その熱電特性

△ [20a-C13-7] M3Ni3-xCoxSb4(M=Zr,Hf)における高い熱電変換性能

△ [20a-C13-8] 層状カルコゲン化合物ACrX2 (A = Cu, Ag; X = S, Se)単結晶の熱電特性