[20a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C8 (TC3 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[20a-C8-1] 自己組織化リソグラフィによるコンタクトホール形成技術

^○川西絢子，清野由里子，菅野正洋，加藤寛和，佐藤寛暢，小林克稔，米満広樹，大村光広，笠原佑介，今村翼，櫻井典子，東司 (東芝)

09:15 〜 09:30

作田賢志朗¹，^○安部晋一郎^1,2，渡辺幸信¹，原田諒³，橋本昌宜³，更田祐司⁴，上村大樹⁵ (九大院総理工¹，学振特別研究員²，阪大院情³，東大生研⁴，富士通セミコンダクタ⁵)

09:30 〜 09:45

^○木野久志¹，福島誉史²，小柳光正²，田中徹^1,3 (東北大院工¹，東北大未来研²，東北大院医工³)

09:45 〜 10:00

^○岡本研正，藤田順一，服部哲郎 (香川大工)

10:00 〜 10:15

^○松本健俊，赤井智喜，今井繁規，小林光 (阪大産研, CREST-JST)

10:15 〜 10:30

^○上武央季^1,2，上沼睦典²，石河泰明^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

休憩　 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○柳永勛，松川貴，遠藤和彦，大内真一，塚田順一，山内洋美，石川由紀，水林亘，森田行則，右田真司，太田裕之，昌原明植 (産総研)

11:00 〜 11:15

^○柳永勛，松川貴，遠藤和彦，大内真一，塚田順一，山内洋美，石川由紀，水林亘，森田行則，右田真司，太田裕之，昌原明植 (産総研)

11:15 〜 11:30

^○（D）Dedy Putranto^1,3，遠藤和彦²，昌原明植²，佐藤弘明¹，小野篤史¹，Purnomo Priambodo³，Djoko Hartanto³，猪川洋¹ (静岡大電子研¹，産総研ナノエレ部門²，インドネシア大電気工³)

11:30 〜 11:45

^○（P）高橋綱己¹，小田俊理²，内田建¹ (慶大理工¹，東工大量子ナノ研セ²)

11:45 〜 12:00

^○与名本欣樹 (日立横研)

12:00 〜 12:15

^○辻勝弘，寺田和夫 (広島市大)