[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[20a-C9-1] 2MeV電子線を照射したひずみSi/ひずみ緩和Si_0.7Ge_0.3/Si基板構造のラマン分光法によるひずみ量評価

^○（B）村上英司郎¹，中島敏之^2,3，米岡将士¹，角田功¹，高倉健一郎¹，中庸行⁴，末益崇⁵ (熊本高等専門学校¹，宮崎大²，中央電子工業³，堀場製作所⁴，筑波大⁵)

09:15 〜 09:30

^○百瀬美穂^1,2，平坂雅男¹，古川行夫² (帝人¹，早大先進理工²)

09:30 〜 09:45

^○（M2）鈴木善久¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

09:45 〜 10:00

^○多田哲也¹，ウラジミールポボロッチ¹，森田行則²，右田真司²，パヴェルゲシェフ³，金山敏彦⁴ (産総研-NeRI¹，GNC-産総研²，ロシア熱物理学研究所³，産総研⁴)

10:00 〜 10:15

^○（M2）竹内大智¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

10:15 〜 10:30

^○Leonid Bolotov^1,2，多田哲也²，福田浩一²，Vladimir Poborchii²，金山敏彦² (筑波大¹，産総所²)

休憩　 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ，小瀬村大亮，木嶋隆浩，小椋厚志 (明治大理工)

11:00 〜 11:15

^○高橋憲彦¹，金田千穂子¹，中西鉄雄² (富士通研¹，信越化学工業²)

11:15 〜 11:30

^○斎藤聡哲，半那純一 (東工大像情報)

11:30 〜 11:45

^○富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，小椋厚志¹ (明大理工¹，学振特別研究員DC²)

11:45 〜 12:00

^○土井修平，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

12:00 〜 12:15

^○小瀬村大亮¹，富田基裕^1,3，臼田宏治²，手塚勉²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，産総研GNC²，学振特別研究員DC³)