[20p-C13-1~7] 9.4 熱電変換

2013年9月20日(金) 13:15 〜 15:00 C13 (TC3 2F-214)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

昼食　 (12:15 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

△ [20p-C13-1] 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板へのGaイオン注入とそのゼーベック係数

^○鈴木悠平^1,2，サレファイズ^1,3,4，下村勝^2,3，石田明広^2,3，池田浩也^1,2,3 (静大電研¹，静大院工²，静大創造大学院³，学振特別研究員 DC⁴)

13:30 〜 13:45

^○竹内恒博^1,2,3，古田幸大² (名大エコトピア¹，名大工²，JSTさきがけ³)

13:45 〜 14:00

^○野村政宏^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

14:00 〜 14:15

^○Jeremie Maire^1,2，野村政宏^1,3 (東大生研¹，ＬＩＭＭＳ-CNRS/IIS²，東大ナノ量子機構³)

14:15 〜 14:30

^○鈴木貴博¹，高橋涼平¹，謝育秦¹，岡崎竜二¹，安井幸夫²，谷口博基¹，寺崎一郎¹ (名大院理¹，明治大理工²)

14:30 〜 14:45

^○西野俊佑，小矢野幹夫，大平圭介 (北陸先端大)

14:45 〜 15:00

^○天谷康孝，藤木弘之 (産総研)