一般セッション(口頭講演)

[18a-A8-1~12] 5.3 光制御

2013年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 A8 (TC1 2F-232)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-A8-1] 中赤外光アンテナの膜厚方向での光電界増強に関する検討

^○西村悠希，森俊，笠原健一 (立命館大)

09:15 〜 09:30

[18a-A8-2] 非共振型誘電体クロークの異方性複合材料による性能向上

^○竹澤晃弘，北村充 (広大工)

09:30 〜 09:45

△ [18a-A8-3] トナーレジストによるメタマテリアルの簡易的作製手法の開発

^○佐藤翔一，渋谷猛久，若木守明 (東海大)

09:45 〜 10:00

[18a-A8-4] 磁性体・光ファイバー複合構造における磁気光学効果の検出

^○西林一彦¹，米田仁紀²，久我淳³，宗片比呂夫¹ (東工大¹，電通大²，NHK放送技研³)

10:00 〜 10:15

▼ [18a-A8-5] Influence of Slope of flat-top Optical Bandpass Filter on a Stabilized Quadruple OTDM Multiplier for RZ/CS-RZ Optical Clock

^○Pierre Buechler，大槻雅人，戸田裕之 (同志社大)

10:15 〜 10:30

▲ [18a-A8-6] Fabrication of EO polymer modulator with sol-gel SiO2/carbon nanotube clad layer

^○Feng Yu，Kazuhiro Yamamoto，Yokoyama Shiyoshi (九大)

10:30 〜 10:45

▲ [18a-A8-7] TiO2 / EO polymer waveguide modulators

^○Feng Qiu (九大)

10:45 〜 11:00

[18a-A8-8] 色素ドープ有機EL素子での表面プラズモン散乱による光増強特性

^○川瀬博人，川崎将吾，笠原健一 (立命館大)

11:00 〜 11:15

△ [18a-A8-9] 新規有機/無機ハイブリッド材料及び蛍光体を用いたセルフアライン導波路の結合効率

^○飯田誠¹，吉村徹三¹，縄田秀行² (東工大¹，日産化学工業²)

11:15 〜 11:30

[18a-A8-10] 低電力高速インターコネクト用光電気コネクタ

^○沼田英俊，平洋一 (IBM東京基礎研)

11:30 〜 11:45

[18a-A8-11] 光導波路型三原色合波器の検討

^○中尾慧，小川浩輔，勝山俊夫 (福井大・院工)

11:45 〜 12:00

[18a-A8-12] 半導体レーザー用ビーム整形レンズの開発

^○杉田知也，坂本達彦，森本章，田中映治，迫田洋子，渋谷公彦 (PID日東)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A8-1~22] 5.3 光制御

2013年9月19日(木) 13:15 〜 19:00 A8 (TC1 2F-232)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:45）

13:15 〜 13:30

▲ [19p-A8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Millimeter-Wave Optical Modulator Using Electro-Optic Waveguide Suspended to Gap-Embedded Patch Antennas on Low-k Dielectric Substrate

^○Yusuf Nur Wijayanto，村田博司，岡村康行 (阪大)

13:30 〜 13:45

△ [19p-A8-2] 分極反転構造アンテナ電極電気光学変調器を用いたミリ波帯無線信号‐光信号変換の指向性制御

^○高武直弘，村田博司，岡村康行 (阪大)

13:45 〜 14:00

[19p-A8-3] 常温接合を用いた新規ウォークオフ補償構造BBO波長変換素子の作製II

^○恩田友美，松本真之介，庄司一郎 (中央大理工)

14:00 〜 14:15

[19p-A8-4] 高次モード位相整合AlGaAs/Alox反転積層高屈折率差導波路の作製

^○中村勇貴¹，松下智紀¹，恩田友美²，庄司一郎²，近藤高志¹ (東大工¹，中央大理工²)

14:15 〜 14:30

[19p-A8-5] Fan-out PPMgSLTを用いた赤色域波長可変光パラメトリック発振

^○谷内哲夫¹，廣橋淳二²，古川保典² (東北大学際研¹，オキサイド²)

14:30 〜 14:45

△ [19p-A8-6] 表面活性化接合MgO:LiNbO₃/SiO₂/Au/LiNbO₃薄板導波路における1μm級周期分極反転構造の作製

^○藤本拓也，井上敏之，栖原敏明 (阪大院工)

14:45 〜 15:00

△ [19p-A8-7] 複数PPLN集積素子を用いた位相感応増幅器の提案

^○風間拓志，梅木毅伺，遊部雅生，竹ノ内弘和 (NTTフォトニクス研)

15:00 〜 15:15

[19p-A8-8] PLL 用光パワー耐性変調器集積化PPLN 素子を用いた位相感応光増幅器の雑音特性

^○圓佛晃次，梅木毅伺，遊部雅生，竹ノ内弘和 (NTTフォトニクス研究所)

15:15 〜 15:30

[19p-A8-9] KTa_1-xNb_xO₃ スキャナにおける解像点数のビーム径依存性

^○佐々木雄三，豊田誠治，小林潤也 (NTTフォトニクス研)

15:30 〜 15:45

△ [19p-A8-10] KTN 結晶による可変焦点レンズの偏光無依存化

^○稲垣卓弘^1,2，今井欽之¹，宮津純¹，小林潤也¹ (NTTフォトニクス研¹，NTT 物性研²)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[19p-A8-11] 半導体全光ゲート高速化実験環境安定化を目的とする発熱補償型温度制御方式の効果と実用性

^○（M1）板垣元，中根隆晃，小林雅和，吉川恵太，上野芳康 (電通大先進理工)

16:15 〜 16:30

[19p-A8-12] 同一波長CW光加速方式の全光波長変換ゲートの長所とそのメカニズム

中根隆晃，板垣元，^○長廣憲幸，杉浦賢太，吉川恵太，上野芳康 (電通大先進理工)

16:30 〜 16:45

[19p-A8-13] 半導体マイクロリングレーザを用いた全光フリップフロップとインバータの実証

^○宮本富成，小林広樹，梅原周，谷口理一，カトフレドワン，荒川太郎，國分泰雄 (横国大院工)

16:45 〜 17:00

[19p-A8-14] 大口径ウェハプロセスにより作製したInP系多値変調素子

^○北村崇光，井上尚子，八木英樹，河野直哉，小林宏彦，木村大資，堀野和彦，藤井康祐，関守弘，米田昌博，小路元 (住友電工)

17:00 〜 17:15

[19p-A8-15] Bragg反射鏡導波路からのVortexビームの生成とその特性

^○田辺賢司，望月翔太，顧暁冬，松谷晃宏，小山二三夫 (東工大)

17:15 〜 17:30

[19p-A8-16] 角度分解出力光の増加による位相共役反射率の改善

^○覺野重誠，向井孝彰，岩崎直紀，大槻明広，宮崎大介 (大阪市立大)

17:30 〜 17:45

[19p-A8-17] Co/Al₂O₃/AlGaAs界面における表面プラズモンを用いた導波路型光アイソレータの設計

^○貝原輝則¹，清水大雅¹，Vadym Zayets²，齋藤秀和²，安藤功兒²，湯浅新治² (農工大工¹，産総研²)

17:45 〜 18:00

[19p-A8-18] 半導体光アイソレータの消光比のデバイス構造依存性の評価

^○石坂大介，服部貴也，清水大雅 (農工大工)

18:00 〜 18:15

[19p-A8-19] 非相反損失に基づくTEモード一方向発振リングレーザの設計

^○坂東敬広，阪西祥平，清水大雅 (農工大工)

18:15 〜 18:30

[19p-A8-20] 電界不均一性を考慮した五層非対称結合量子井戸組み合わせ構造の最適化と光位相変調器への応用

^○関口徹，荒川太郎，盧柱亨 (横浜国大院工)

18:30 〜 18:45

[19p-A8-21] 電界制御型分岐比可変多モード干渉カプラーの作製

^○川崎直道，盧柱亨，荒川太郎 (横国大)

18:45 〜 19:00

△ [19p-A8-22] 4次直列結合量子井戸マイクロリング波長選択スイッチのバーニャ効果による波長シフト量の拡大

^○池原広樹，荒川太郎，國分泰雄 (横国大院工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-A8-1~12] 5.3 光制御

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 A8 (TC1 2F-232)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-A8-1] アモルファスSiをクラッドとするβ-FeSi₂フォトニック結晶の作製検討

^○徳繁洋樹¹，遠藤峻¹，吹留啓太¹，齋木健太¹，池田直樹²，杉本喜正² (福井大院工¹，物質・材料研究機構²)

09:15 〜 09:30

[20a-A8-2] イオン注入技術を応用した立体曲げ導波路の作製

^○吉田知也¹，武井亮平¹，西孝¹，田島渉吾²，鈴木政雄¹，面田恵美子¹，長尾昌善¹，三浦登²，森雅彦¹，榊原陽一¹ (産総研¹，明治大²)

09:30 〜 09:45

△ [20a-A8-3] 300 mm SOI基板上にハーフトーンマスクで作製したシリコン細線導波路

^○平野秀¹，相馬宗厳¹，北智洋¹，田主裕一朗¹，関三好²，外山宗博²，堀川剛²，山田博仁¹ (東北大院工¹，産総研²)

09:45 〜 10:00

△ [20a-A8-4] 300 mm SOI基板上に作製したリング共振器の特性均一性

^○相馬宗厳¹，平野秀¹，田主裕一朗¹，北智洋¹，外山宗博²，佐野作²，堀川剛²，山田博仁¹ (東北大院工¹，産総研²)

10:00 〜 10:15

▲ [20a-A8-5] マイクロリング共振器の作製誤差の無損傷検出方法

^○（PC）Jingnan Cai，滝田真也，石川靖彦，和田一実 (東大)

10:15 〜 10:30

△ [20a-A8-6] オンチップ光ネットワーク用シリコン導波路型波長選択スイッチの損失改善に向けた検討

^○三浦謙悟，庄司雄哉，水本哲弥 (東工大理工)

10:30 〜 10:45

[20a-A8-7] 単層グラフェン集積によるSiリング共振器のQ値変化

^○高磊^1,2,4，田邉真一³，土澤泰^1,2，山本剛²，日比野浩樹³，中島啓幾⁴，山田浩治^1,2 (NTT NPC¹，NTT MI研²，NTT 物性基礎研³，早大⁴)

10:45 〜 11:00

[20a-A8-8] SiOx薄膜スラブを用いたモード制御によるSiテーパ-SSCの構造トレランスの拡大

^○高橋博之^1,2，羽鳥伸明^1,2，清水隆徳^1,2，石坂政茂^1,2，岡野誠^1,3，堀川剛^1,3 (PECST¹，PETRA²，産総研³)

11:00 〜 11:15

[20a-A8-9] 3次元オンチップ光配線のための低損失層間光結合デバイス

^○武井亮平^1,2，面田恵美子^1,2，鈴木政雄^1,2，眞子祥子^1,2，亀井利浩^1,2，森雅彦^1,2，榊原陽一^1,2 (産総研¹，PECST²)

11:15 〜 11:30

[20a-A8-10] 帯域8nmでアイソレーション20dB以上を有するシリコン導波路型光アイソレータ

^○庄司雄哉，白土雄也，水本哲弥 (東工大)

11:30 〜 11:45

[20a-A8-11] 超小型Si導波路型光アイソレータのためのCoFe₂O₄の検討

^○彌永恵，庄司雄哉，鹿島隆雄，鈴木隆寛，中川茂樹，水本哲弥 (東工大)

11:45 〜 12:00

[20a-A8-12] Si非対称スリット導波路型TE-TMモード変換器

^○藤江彰裕，庄司雄哉，水本哲弥 (東工大工)

一般セッション(口頭講演)

[20p-A8-1~8] 5.3 光制御

2013年9月20日(金) 13:00 〜 15:00 A8 (TC1 2F-232)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-A8-1] 量子ドットレーザを搭載したSi基板上ハイブリッド集積光源の高温動作

^○羽鳥伸明^1,2，清水隆徳^1,2，岡野誠^2,3，石坂政茂^1,2，山本剛之^1,2，賣野豊^1,2，森雅彦^2,3，中村隆宏^1,2，荒川泰彦^2,4 (ＰＥＴＲＡ¹，ＰＥＣＳＴ²，産総研³，東大生研⁴)

13:15 〜 13:30

[20p-A8-2] SOAとの集積化に向けたInAs/InAlGaAs多重積層量子ドットのICP-RIEエッチング法組成混合による直線導波路の低損失化の検討

^○（M2）松下明日香¹，松本敦¹，武井勇樹¹，赤羽浩一²，松島裕一¹，宇高勝之¹ (早大理工¹，情報通信研究機構²)

13:30 〜 13:45

[20p-A8-3] 同心円状金属回折格子付SOIフォトダイオードにおける分光感度の偏光依存性

^○佐藤弘明^1,2，岩田将平²，小野篤史^1,2，猪川洋^1,2 (静岡大電子研¹，静岡大工²)

13:45 〜 14:00

[20p-A8-4] ５０ＧＨｚ帯域Ｓｉ導波路集積ＰＩＮ型Ｇｅフォトダイオードの検討

^○野口将高^1,2，藤方潤一^1,2，三浦真^1,2，岡本大典^1,2，堀川剛^1,3，荒川泰彦^1,4 (ＰＥＣＳＴ¹，ＰＥＴＲＡ²，産総研³，東大⁴)

14:00 〜 14:15

▲ [20p-A8-5] フランツケルディシュ電界吸収型光変調用のゲマニウム中歪制御

^○マイルアングエン¹，畔柳亮¹，土澤泰²，石川靖彦¹，山田浩司²，和田一実¹ (東大院工¹，NTT²)

14:15 〜 14:30

[20p-A8-6] 1.55μm及び1.3μm波長帯用高効率MOS型Si光変調器

^○高橋重樹^1,2，藤方潤一^1,2，高橋正志^1,3，堀川剛^1,3，中村隆宏^1,2，荒川泰彦^1,4 (PECST¹，PETRA²，産総研³，東大⁴)

14:30 〜 14:45

[20p-A8-7] PINダイオードを用いたリング共振器型シリコン変調器の
50 Gb/s動作

^○馬場威^1,2，秋山傑^1,2，今井雅彦^1,2，平山直紀^2,3，高橋博之^1,2，埜口良二^2,3，堀川剛^2,3，臼杵達哉^1,2 (ぺトラ¹，ペクスト²，産総研³)

14:45 〜 15:00

▲ [20p-A8-8] Digital driving of silicon-wire-waveguide based thermo-optic Mach-Zehnder 2x2 switches by pulse width modulation method

^○Guangwei Cong¹，松川貴²，千葉正²，田所宏文²，柳原昌志²，大野守史²，鍬塚治彦¹，五十嵐泰史²，昌原明植²，河島整¹ (産総研, NPRC¹，産総研, NeRI²)

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05．光エレクトロニクス » 5.3 光制御

[18a-A8-1~12] 5.3 光制御

△ [18a-A8-3] トナーレジストによるメタマテリアルの簡易的作製手法の開発

▼ [18a-A8-5] Influence of Slope of flat-top Optical Bandpass Filter on a Stabilized Quadruple OTDM Multiplier for RZ/CS-RZ Optical Clock

▲ [18a-A8-6] Fabrication of EO polymer modulator with sol-gel SiO2/carbon nanotube clad layer

▲ [18a-A8-7] TiO2 / EO polymer waveguide modulators

△ [18a-A8-9] 新規有機/無機ハイブリッド材料及び蛍光体を用いたセルフアライン導波路の結合効率

[19p-A8-1~22] 5.3 光制御

▲ [19p-A8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Millimeter-Wave Optical Modulator Using Electro-Optic Waveguide Suspended to Gap-Embedded Patch Antennas on Low-k Dielectric Substrate

△ [19p-A8-2] 分極反転構造アンテナ電極電気光学変調器を用いたミリ波帯無線信号‐光信号変換の指向性制御

△ [19p-A8-6] 表面活性化接合MgO:LiNbO3/SiO2/Au/LiNbO3薄板導波路における1μm級周期分極反転構造の作製

△ [19p-A8-7] 複数PPLN集積素子を用いた位相感応増幅器の提案

△ [19p-A8-10] KTN 結晶による可変焦点レンズの偏光無依存化

△ [19p-A8-22] 4次直列結合量子井戸マイクロリング波長選択スイッチのバーニャ効果による波長シフト量の拡大

[20a-A8-1~12] 5.3 光制御

△ [20a-A8-3] 300 mm SOI基板上にハーフトーンマスクで作製したシリコン細線導波路

△ [20a-A8-4] 300 mm SOI基板上に作製したリング共振器の特性均一性

▲ [20a-A8-5] マイクロリング共振器の作製誤差の無損傷検出方法

△ [20a-A8-6] オンチップ光ネットワーク用シリコン導波路型波長選択スイッチの損失改善に向けた検討

[20p-A8-1~8] 5.3 光制御

▲ [20p-A8-5] フランツケルディシュ電界吸収型光変調用のゲマニウム中歪制御

▲ [20p-A8-8] Digital driving of silicon-wire-waveguide based thermo-optic Mach-Zehnder 2x2 switches by pulse width modulation method

△ [19p-A8-6] 表面活性化接合MgO:LiNbO₃/SiO₂/Au/LiNbO₃薄板導波路における1μm級周期分極反転構造の作製