14:15 〜 14:30
[16p-A8-4] (775)B InP基板上にMBE成長した
InGaAsQWRの表面コラゲーションの組成依存性
キーワード：面発光レーザ
講演情報
一般セッション(口頭講演)
05．光エレクトロニクス » 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子
[16p-A8-1~14] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子
2013年9月16日(月) 13:30 〜 17:15 A8 (TC1 2F-232)