[16p-B4-1~8] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-B4-6] β-Ga₂O₃とSiCによるヘテロ接合ダイオード

^○中込真二，高橋修平，國分義弘 (石巻専修大理工)

キーワード：Ga₂O₃,SiC,ヘテロ接合