[16p-B4-1~8] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-B4-8] ミストCVD法によるZnGa₂O₄薄膜のエピタキシャル成長

^○丹羽三冬¹，向井章¹，大島孝仁¹，長見知史²，須山敏尚²，大友明^1,3,4 (東工大院理工¹，トクヤマ²，元素戦略³，JST-ALCA⁴)

キーワード：ミストCVD,ZnGa2O4