[16p-B5-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B5-14] AlGaN/GaGdN 多重量子井戸構造の磁気特性のバリア層厚依存性

^○佐野壮太，長谷川繁彦，周逸凱，山内翔太 (阪大産研)

キーワード：窒化物半導体