[16p-B5-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B5-16] 中性子転換注入不純物で補償されたGaNの深いドナー準位

^○中村司¹，上岡一馬¹，伊田孝寛¹，栗山一男¹，串田一雅²，徐虬³，長谷川雅考⁴ (法政大¹，大阪教育大²，京大原子炉³，産総研⁴)

キーワード：窒化ガリウム,中性子転換注入,Neutron transmutation doping