[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-12] バックチャネル欠陥準位がa-InGaZnO薄膜トランジスタ特性及び信頼性に与える影響

^○戸田達也，Dapeng Wang，Jingxin Jiang，Phi Hung Mai，古田守 (高知工大)

キーワード：InGaZnO,TFT