[16p-P8-1~21] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-21] 大気圧CVD法による原料交互供給下でのGa添加ZnO薄膜の成長とキャリア輸送特性の温度依存性

^○藤本翔平¹，藤田崇史²，寺迫智昭¹，宮田晃²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

キーワード：ZnO,Carrier Transport Properties,大気圧CVD法