[17a-B3-1~11] 15.6 IV族系化合物

[17a-B3-1] F₂+Heガスプラズマを用いたSiCのドライエッチング

^○田中貴也¹，新海聡子²，小田春奈³，本山慎一³ (九工大院情¹，九工大マイクロ化²，サムコ³)

キーワード：SiC,F2,エッチング