[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-B4-11] PARE法によりZnO基板上に作製したMg_xZn_1-xO:N膜の諸特性

^○中川玲¹，阿部貴美¹，千葉鉄也¹，中川美智子¹，高橋修三¹，千葉茂樹¹，柏葉安宏²，小島勉¹，青田克己¹，新倉郁生¹，柏葉安兵衛¹，長田洋¹ (岩手大¹，仙台高専²)

キーワード：酸化亜鉛,MgZnO,薄膜