[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-B4-2] 酸フッ化インジウム(InO_xF_y)エピタキシャル薄膜の作製

^○岡崎壮平^1,2，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^1,2，楊長^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (KAST¹，JST-CREST²，東大院理³)

キーワード：酸フッ化物,アニオン置換