[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17a-B4-3] RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInON膜の作製－Ar分圧依存性－

^○松島宏一¹，清水僚太¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九大¹，JSTさきがけ²)

キーワード：スパッタリング,酸窒化物半導体,ZnInON