[17a-B4-1~12] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-B4-9] UHV スパッタエピタキシー法によるMgO単結晶層の成長

^○高橋昌幸，濵田夕慎，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

キーワード：酸化マグネシウム,MgO,sputter