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一般セッション(口頭講演)

08．プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング

[17a-C2-1~10] 8.4 プラズマエッチング

2013年9月17日(火) 09:15 〜 11:45 C2 (TC3 1F-102)

11:00 〜 11:15

▼ [17a-C2-7] An Inhibition Mechanism for Surface Roughening of Photoresist During Plasma Etching Process with Plasma Cure

^○張彦，竹内拓也，永野浩貴，石川健治，関根誠，竹田圭吾，近藤博基，堀勝 (名大)

キーワード：Plasma etching,Plasma Cure,Surface Roughening