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一般セッション(口頭講演)

17．ナノカーボン » 17.1 成長技術

[17p-B1-1~13] 17.1 成長技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 16:30 B1 (TC2 1F-101)

13:15 〜 13:30

▲ [17p-B1-2] 大気圧CVD法による固体炭素源を用いた多結晶Cu箔上へのグラフェン成長

^○Subash Sharma，Golap Kalita，Remi Papon，Emre Ayhan，平野遼，種村眞幸 (名工大)

キーワード：Graphene,Atmospheric chemical vapor deposition