[17p-B2-1~14] 17.4 デバイス応用

△ [17p-B2-3] 高濃度ドープによるCNT/SiC界面の接触抵抗の低減

^○鈴木和真¹，稲葉優文¹，渋谷恵¹，明道三穂¹，平岩篤¹，増田佳穂²，乗松航²，楠美智子²，川原田洋¹ (早大理工¹，名大エコトピア研²)

キーワード：接触抵抗,カーボンナノチューブ,炭化珪素