[17p-B3-1~17] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-B3-14] 表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC接合のブレークダウン特性

^○（M1）西田将太¹，梁剣波¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (大阪市大工¹，新日本無線²)

キーワード：表面活性化ボンディング法,SiC,ヘテロ接合