[17p-B3-1~17] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-B3-16] レーザーアブレーション法によるSi基板上3C-SiC薄膜成長

^○成田次理，目黒一熙，鈴木大樹，山本陽平，能登夏音，中澤日出樹 (弘前大院理工)

キーワード：ヘテロエピタキシー