2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)

16:00 〜 16:15

[17p-B5-12] Kr/O2プラズマ酸化法を用いたGeO2/Ge構造の作成及び評価

中谷友哉,山口まりな,岩崎好考,上野智雄 (東京農工大・工)

キーワード:プラズマ酸化,Ge oxide