2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 18:30 B5 (TC2 2F-201)

16:15 〜 16:30

[17p-B5-13] 低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたGeOx薄膜構造の制御

中山大樹1,大野武雄2,张睿3,高木信一3,寒川誠二1,2 (東北大流体研1,東北大WPI-AIMR2,東大院工3)

キーワード:中性粒子ビーム後酸化法,ビームエネルギー,ゲルマニウム酸化膜