[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

[17p-B5-5] W₂Cゲート電極とLa-silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価

^○中村嘉基¹，細田修平¹，カマリ トクダレハン¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，若林整²，杉井信之²，筒井一生²，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

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