[17p-P2-1~49] 8 プラズマエレクトロニクス（ポスター）

[17p-P2-47] 水素ラジカルを用いた遷移金属の選択加熱現象による薄膜トランジスタ用多結晶Si形成

^○中家大希¹，荒井哲司¹，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，中川清和¹，高松利行²，澤野憲太郎³，白木靖寛³ (山梨大¹，SST²，東京都市大³)

キーワード：選択加熱現象,多結晶Si形成,水素ラジカル