[17p-P8-1~7] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[17p-P8-4] 高品質圧縮歪みSiGe/Si(110)の形成とnMOSFETの電子移動度評価

^○井門賢輔¹，小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，澤野憲太郎²，白木靖寛² (山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研²)

キーワード：SiGe,歪み,移動度