[18a-A4-1~9] 16.2 プロセス技術・デバイス

[18a-A4-7] Ge/a-Si/Metal構造による赤外線センサ用薄膜の電気特性

^○中村優平，宝田隼，古川昭雄 (東理大)

キーワード：ポテンシャル障壁,赤外線センサ,a-Si