[18a-B4-1~10] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[18a-B4-3] Al 誘起成長Si 層の結晶方位・粒径に与える成長温度効果

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^{2, 3}，末益崇^{1, 3} (筑波大院 数理物質¹，名大院 工²，JST-CREST³)

キーワード：Si,Al誘起成長,方位制御